第113章 finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺
然而李明远可不理会那些总裁们的阴沉脸色，只见舞台上的李明远笑著说道“想將晶片结构从二维的平面结构，变成三维的立体多层结构。
实际是一场彻头彻尾的革命，不只是要在eda软体层面上进行针对性开发，也是要在硬体上面开发。
为了在硬体层面上实现我们的最终目標，我们特別开发出来了一种全新的三维结构电晶体与专用生產工艺。
即finfet鰭式场效应电晶体以及finfet工艺！”
在李明远说话的时候，身后的投影屏幕就出现了finfet鰭式场效应电晶体的图片。
“我们的finfet鰭式场效应电晶体，它是一个三维立体结构的电晶体。
每个电晶体包含一个源极、一个漏极、一个连接两者的导点通道、一个柵极————”
李明远介绍起了finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺的细节。
这两个东西，实际是前世2011年因特尔公司推出的新一代电晶体结构。
也是正是从这一年开始，正式开启了3d晶片结构的大旗。
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也正是从这一年开始，全球的製程工艺开始变得虚標起来。
不再是用电晶体的柵极长度来评价製程工艺的先进与否。
而是直接变成了等效多少多少纳米製程工艺。
只因为对於3d晶片结构来说，柵极长度大一点，並不意味著落后。
因为它看的是整体结构，看的是整体性能。
就比如前世三惺公司代工生產的某个处理器，其柵极长度就小於台积店代工生產的柵极长度。
但实际上台积店代工生產的处理器性能就是比台积店的性能更强。
原因正是三惺公司代工生產的处理器存在难以接受的漏电问题。
这晶片一漏电自然会导致温度极速升高，功耗很高，性能很低。
於是那个时候，採用三惺公司代工生產处理器的手机，也有了热得快暖手宝之名。
“我们为什么要研发出finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺。
原因正是为了二维平面结构的电晶体，其实並不太適合搞3d晶片堆叠技术。
因为相比於finfet鰭式场效应电晶体，二维平面结构的传统电晶体存在著电流控制能力弱、漏电电流控制困难、容易污染与损伤等缺点。
反之採用了我们自研的finfet鰭式场效应电晶体后，这些缺点统统都被克服或大幅减轻了。
也正是因为我们克服或大幅减轻了电流控制能力弱、漏电电流控制困难、容易污染与损伤等缺点。
所以我们才能在同一个晶片体积上面，塞下多层结构的finfet鰭式场效应电晶体。”
闻言，现场的观眾与记者们露出恍然大悟的表情。
而新思科技的总裁盖新思，连享总裁刘川志他们的脸色已经黑如锅底了。
没有想到星火科技竟然在悄无声息之间，搞出了这么多的核心技术。
而且这些技术光是一听就知道前景很大。
这星火科技怎么就能一直往正確的道路前进，没有犯错走弯路呢？！
“我们的3d晶片堆叠技术所指的，其实不是finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺。
因为finfet鰭式场效应电晶体，只是3d晶片堆叠技术的前置技术而已。
没有finfet鰭式场效应电晶体，没有它克服传统二维平面电晶体的诸多缺陷。
那想要实现3d晶片堆叠技术的难度真的很高。
也因此，finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺，只是3d晶片堆叠技术的前置技术。”
闻言，现场的观眾记者们，当即是期待好奇起来。
这三维结构的finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺竞然只是3d晶片堆叠技术的前置技术。
那真正的3d晶片堆叠技术究竟是一个什么样的技术，究竟有多么强大的结构呢？
伴隨著人们的好奇视线，李明远轻轻一挥手，身后的投影屏幕画面骤然一变。
一张3d晶片堆叠技术的原理图出现在眾人面前。
“3d晶片堆叠技术，其实有多种实现路径，有三维电路封装工艺技术研发线路，有三维硅封装工艺技术研发线路。
三维电路封装工艺集成的晶片之间存在空隙。
需填充介质材料以调整系统的热导率、热膨胀係数保证系统的机械、导电性能的稳定性。
三维硅封装工艺集成的晶片之间没有空隙，且晶片的功耗、体积、重量较小，导电性能优良。
其中三维电路封装工艺的技术实现难度略低一点，散热性能优良，適合用於体积大的晶片。
而三维硅封装工艺的技术实现难度高，工艺复杂，成本较高，適合於空间狭小的移动端晶片。
这两种技术研发线路，我们都註册了技术专利，也都支持生產，星火eda软体也都支持。”
顿了一下，李明远接著说道：“在这其中，无论是哪种封装工艺，统统都是採用了一种名叫tsv硅通孔互联技术的互联技术。
这tsv硅通孔互联技术，顾名思义就是在硅当中通孔。
之后再採用垂直互连形式，將电晶体与电晶体连接起来，形成一个三维立体结构的整体。
具有导线距离最短、强度较高，更易实现小型化、高密度、高性能、多功能化异质结构的特点。”
闻言，现场的观眾与记者们似懂非懂的轻轻点头。
他们实际有些听不懂，只是本能的感觉很厉害的样子。
而接下来李明远就继续介绍了一下3d晶片堆叠技术的细节，这也是让他们听得更加迷糊了。
就这样，用了十多分钟，介绍完3d晶片堆叠技术后，接下来就来到了关键的环节。
“————介绍了这么多，想必大家对於3d晶片堆叠技术已经有一定了解了。
使用3d晶片堆叠技术与使用传统的二维平面晶片技术有什么优缺点呢。
传统的二维平面晶片结构简单，生產难度低，生產工序没有那么多。
这良品率肯定会更高，所以生產的晶片成本会比较低。
而三维立体结构的晶片结构复杂，生產难度很高，生產工序复杂，良品率隨之降低。
而且这实际上也是相当於將本来可以製造出两个或三个晶片的晶圆，变成製造一个晶片。
这自然是意味著晶片的製造成本隨之提升了。”
闻言，现场的观眾们当即是微微皱眉。
照这样一算，3d晶片堆叠技术的晶片价格，岂不是要正常晶片的几倍价格？
然而李明远可不理会那些总裁们的阴沉脸色，只见舞台上的李明远笑著说道“想將晶片结构从二维的平面结构，变成三维的立体多层结构。
实际是一场彻头彻尾的革命，不只是要在eda软体层面上进行针对性开发，也是要在硬体上面开发。
为了在硬体层面上实现我们的最终目標，我们特別开发出来了一种全新的三维结构电晶体与专用生產工艺。
即finfet鰭式场效应电晶体以及finfet工艺！”
在李明远说话的时候，身后的投影屏幕就出现了finfet鰭式场效应电晶体的图片。
“我们的finfet鰭式场效应电晶体，它是一个三维立体结构的电晶体。
每个电晶体包含一个源极、一个漏极、一个连接两者的导点通道、一个柵极————”
李明远介绍起了finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺的细节。
这两个东西，实际是前世2011年因特尔公司推出的新一代电晶体结构。
也是正是从这一年开始，正式开启了3d晶片结构的大旗。
记住我们101看书网
也正是从这一年开始，全球的製程工艺开始变得虚標起来。
不再是用电晶体的柵极长度来评价製程工艺的先进与否。
而是直接变成了等效多少多少纳米製程工艺。
只因为对於3d晶片结构来说，柵极长度大一点，並不意味著落后。
因为它看的是整体结构，看的是整体性能。
就比如前世三惺公司代工生產的某个处理器，其柵极长度就小於台积店代工生產的柵极长度。
但实际上台积店代工生產的处理器性能就是比台积店的性能更强。
原因正是三惺公司代工生產的处理器存在难以接受的漏电问题。
这晶片一漏电自然会导致温度极速升高，功耗很高，性能很低。
於是那个时候，採用三惺公司代工生產处理器的手机，也有了热得快暖手宝之名。
“我们为什么要研发出finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺。
原因正是为了二维平面结构的电晶体，其实並不太適合搞3d晶片堆叠技术。
因为相比於finfet鰭式场效应电晶体，二维平面结构的传统电晶体存在著电流控制能力弱、漏电电流控制困难、容易污染与损伤等缺点。
反之採用了我们自研的finfet鰭式场效应电晶体后，这些缺点统统都被克服或大幅减轻了。
也正是因为我们克服或大幅减轻了电流控制能力弱、漏电电流控制困难、容易污染与损伤等缺点。
所以我们才能在同一个晶片体积上面，塞下多层结构的finfet鰭式场效应电晶体。”
闻言，现场的观眾与记者们露出恍然大悟的表情。
而新思科技的总裁盖新思，连享总裁刘川志他们的脸色已经黑如锅底了。
没有想到星火科技竟然在悄无声息之间，搞出了这么多的核心技术。
而且这些技术光是一听就知道前景很大。
这星火科技怎么就能一直往正確的道路前进，没有犯错走弯路呢？！
“我们的3d晶片堆叠技术所指的，其实不是finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺。
因为finfet鰭式场效应电晶体，只是3d晶片堆叠技术的前置技术而已。
没有finfet鰭式场效应电晶体，没有它克服传统二维平面电晶体的诸多缺陷。
那想要实现3d晶片堆叠技术的难度真的很高。
也因此，finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺，只是3d晶片堆叠技术的前置技术。”
闻言，现场的观眾记者们，当即是期待好奇起来。
这三维结构的finfet鰭式场效应电晶体与finfet工艺竞然只是3d晶片堆叠技术的前置技术。
那真正的3d晶片堆叠技术究竟是一个什么样的技术，究竟有多么强大的结构呢？
伴隨著人们的好奇视线，李明远轻轻一挥手，身后的投影屏幕画面骤然一变。
一张3d晶片堆叠技术的原理图出现在眾人面前。
“3d晶片堆叠技术，其实有多种实现路径，有三维电路封装工艺技术研发线路，有三维硅封装工艺技术研发线路。
三维电路封装工艺集成的晶片之间存在空隙。
需填充介质材料以调整系统的热导率、热膨胀係数保证系统的机械、导电性能的稳定性。
三维硅封装工艺集成的晶片之间没有空隙，且晶片的功耗、体积、重量较小，导电性能优良。
其中三维电路封装工艺的技术实现难度略低一点，散热性能优良，適合用於体积大的晶片。
而三维硅封装工艺的技术实现难度高，工艺复杂，成本较高，適合於空间狭小的移动端晶片。
这两种技术研发线路，我们都註册了技术专利，也都支持生產，星火eda软体也都支持。”
顿了一下，李明远接著说道：“在这其中，无论是哪种封装工艺，统统都是採用了一种名叫tsv硅通孔互联技术的互联技术。
这tsv硅通孔互联技术，顾名思义就是在硅当中通孔。
之后再採用垂直互连形式，將电晶体与电晶体连接起来，形成一个三维立体结构的整体。
具有导线距离最短、强度较高，更易实现小型化、高密度、高性能、多功能化异质结构的特点。”
闻言，现场的观眾与记者们似懂非懂的轻轻点头。
他们实际有些听不懂，只是本能的感觉很厉害的样子。
而接下来李明远就继续介绍了一下3d晶片堆叠技术的细节，这也是让他们听得更加迷糊了。
就这样，用了十多分钟，介绍完3d晶片堆叠技术后，接下来就来到了关键的环节。
“————介绍了这么多，想必大家对於3d晶片堆叠技术已经有一定了解了。
使用3d晶片堆叠技术与使用传统的二维平面晶片技术有什么优缺点呢。
传统的二维平面晶片结构简单，生產难度低，生產工序没有那么多。
这良品率肯定会更高，所以生產的晶片成本会比较低。
而三维立体结构的晶片结构复杂，生產难度很高，生產工序复杂，良品率隨之降低。
而且这实际上也是相当於將本来可以製造出两个或三个晶片的晶圆，变成製造一个晶片。
这自然是意味著晶片的製造成本隨之提升了。”
闻言，现场的观眾们当即是微微皱眉。
照这样一算，3d晶片堆叠技术的晶片价格，岂不是要正常晶片的几倍价格？